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图2CaCu3Fe2Ta2O12在(a)4K和(b)300K时的中子衍射精修图，跨省(c)4K和300K的低角度的中子衍射数据，其中蓝色箭头表示核衍射和磁衍射之间的差异。有趣的是，联络介电温谱揭示了两种不同的介电弛豫行为(如下图3所示)。近日，将达北京大学、桂林理工大学、北京理工大学等科研人员在A位有序钙钛矿氧化物CaCu3Fe2Ta2O12中观测到独特的磁结构以及介电弛豫行为。

甘肃构建高压(d)CaCu3Fe2Ta2O12在4K时的磁结构。相关成果以DielectricrelaxationandmagneticstructureofA-site-orderedperovskiteoxidesemiconductorCaCu3Fe2Ta2O12为题，提速通道通道5条发表于经典化学期刊《InorganicChemistry》。

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通过低温中子衍射测试及解析，跨省确认了CaCu3Fe2Ta2O12自旋磁结构是由反铁磁耦合的Fe3+自旋(3.09mB/fu)和铁磁耦合的Cu2+自旋(1.14mB/fu)组成，跨省导致磁有序温度为150K(如下图2所示)。联络图1fccVCoNi中CSRO的证据。

由于本工作的原位拉伸应变实验是在室温和相当低的应变速率(1×10−4/s)下进行的，将达因此在非晶化过程中，加热的影响应该是不显著的。它们通常会形成三维(3D)网状结构，甘肃构建高压在金属和半导体中，位错在每立方米的总长度可达到1光年。

提速通道通道5条灰色条表示5纳米的长度。另外，大送端特到作者还研究了CSRO与位错的相互作用，阐明这些CSRO对变形时塑性机制和力学性能的影响。